Жесткие диски SSD

Время наработки на отказ: 1000000. Максимальная скорость записи: 3100. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 250000. Максимальная скорость чтения: 3400. Объем накопителя: 2. Потребляемая мощность: 3.4. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 330000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 2.1. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Максимальное количество циклов перезаписи в день (DWPD): 0.9. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.101x0.014x0.06. Вес упаковки (ед): 0.02. Ключ M.2 разъема: M. Длина товара: 80. Ширина товара: 22. Интерфейс: PCIe 3.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 36 мес.. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Скорость: чтения до 3400 МБ/с, записи до 3100 МБ/с. Ресурс: DWPD: 0.9; время наработки: 1000000 ч. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.1 мм. Память: тип NAND: TLC. Особенности: для ПК, для ноутбука; NVMe. Объем: 2 ТБ; интерфейс: PCIe 3.0 x4

SSD M.2 (2280), cкорость чтения/записи 7450/6900 Mb/s, V-NAND 3-bit MLC PCIe Gen 4.0 x 4, NVMe 2.0, 80.15 x 22.15 x 2.38мм

Время наработки на отказ: 2000000. Максимальная скорость записи: 500. Максимальная скорость чтения: 545. Объем накопителя: 2. Тип жесткого диска: SSD. Толщина товара: 2.25. Форм-фактор: M.2 2280. Разъем: M.2. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.129x0.065x0.015. Вес упаковки (ед): 0.03. Ударостойкость при работе: 1500 G. Ударостойкость при хранении: 1500 G. Вес устройства: 8. Ключ M.2 разъема: M/B. Поддержка TRIM: есть. Длина товара: 80. Ширина товара: 22. Интерфейс: SATA III. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 36 мес.. Ресурс TBW: 1120 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Скорость: чтения до 545 МБ/с, записи до 500 МБ/с. Форм-фактор: M.2 2280; разъем M.2; толщина 2.25 мм. Объем: 2 ТБ; интерфейс: SATA III. Особенности: для ПК, для ноутбука; TRIM. Ресурс: TBW 1120 ТБ; время наработки: 2000000 ч

Время наработки на отказ: 2000000. Латентность, запись: 29. Латентность, чтение: 70. Максимальная скорость записи: 800. Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 32000. Максимальная скорость чтения: 7000. Объем накопителя: 480. Потребляемая мощность: 5.77. Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 530000. Тип жесткого диска: SSD. Тип памяти NAND: TLC. Толщина товара: 8.3. Форм-фактор: M.2 2280. Поддержка NVMe: есть. Разъем: M.2. Максимальное количество циклов перезаписи в день (DWPD): 0.4. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.182x0.127x0.013. Вес упаковки (ед): 0.05. Ударостойкость при хранении: 20 G. Вес устройства: 10. Ключ M.2 разъема: M. Длина товара: 80. Ширина товара: 22. Интерфейс: PCIe 4.0 x4. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 60 мес.. Ресурс TBW: 350 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Скорость: чтения до 7000 МБ/с, записи до 800 МБ/с. Ресурс: TBW 350 ТБ; DWPD: 0.4; время наработки: 2000000 ч. Память: тип NAND: TLC. Объем: 480 ГБ; интерфейс: PCIe 4.0 x4. Особенности: дл

Объем 500 Гб, форм-фактор 2.5", интерфейс SATA III 6Gb/s, скорость записи до: 530 MБ/с, скорость чтения до: 560 MБ/с, MZ-77E500BW

[накопитель] Samsung SSD 1Tb 990 PRO M.2 MZ-V9P1T0B/AM

Бренд: SAMSUNG Форм-фактор: M.2 2280 Интерфейс: PCIe 4.0 x4 Тип жесткого диска: SSD Объем накопителя: 1024 ГБ Модель: 990 EVO Plus PartNumber/Артикул Производителя: MZ-V9S1T0BW Максимальная скорость чтения: 7150 МБ/с Максимальная скорость записи: 6300 МБ/с Время наработки на отказ: 1500000 ч Поддержка NVMe: ДА Поддержка TRIM: ДА Разъем: M.2 Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 850000 Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1350000 Ресурс TBW: 600 ТБ Потребляемая мощность: 4.3 Вт Мощность в режиме ожидания: 0.06 Вт Толщина товара: 2.38 мм Ширина товара: 22.15 мм Длина товара: 80.15 мм Вес устройства: 9 грамм Особенности: Samsung V-NAND TLC Ударостойкость при работе: 1500 G Ударостойкость при хранении: 1500 G Вес упаковки (ед): 0.13 кг Ключ M.2 разъема: M Объем упаковки (ед): 0.00030305 м3 Назначение: для ноутбука, для ПК Тип памяти NAND: TLC Пропускная способность интерфейса: 64 Гбит/с Цвет: черный Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.145x0.095x0.022 м

Бренд: SAMSUNG Форм-фактор: M.2 2280 Интерфейс: PCIe 4.0 x4 Тип жесткого диска: SSD Объем накопителя: 1024 ГБ PartNumber/Артикул Производителя: MZ-V9S1T0B/AM Модель: 990 Evo Plus Максимальная скорость чтения: 7150 МБ/с Максимальная скорость записи: 6300 МБ/с Время наработки на отказ: 1500000 ч Поддержка NVMe: ДА Поддержка TRIM: ДА Разъем: M.2 Ключ M.2 разъема: M Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS): 850000 Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS): 1350000 Ресурс TBW: 600 ТБ Потребляемая мощность: 4.3 Вт Мощность в режиме ожидания: 0.06 Вт Толщина товара: 2.38 мм Ширина товара: 22.15 мм Длина товара: 80.15 мм Вес устройства: 9 грамм Особенности: Samsung V-NAND TLC Ударостойкость при работе: 1500 G Ударостойкость при хранении: 1500 G Цвет: черный Назначение: для ноутбука, для ПК Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.098x0.02x0.165 м Вес упаковки (ед): 0.109 кг Объем упаковки (ед): 0.0003234 м3 Тип памяти NAND: TLC Пропускная способность интерфейса: 64 Гбит/с

[накопитель] Samsung SSD 500Gb 870 EVO MZ-77E500B/AM

[накопитель] Samsung SSD 1TB, M.2-2280 PM9C1b PCIe4x4 SED, MZVL81T0HFLB-00B07

Время наработки на отказ: 1000000. Максимальная скорость чтения: 545. Объем накопителя: 2. Потребляемая мощность: 3.1. Тип жесткого диска: SSD. Толщина товара: 7. Форм-фактор: 2.5". Разъем: SATA. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.1x0.13x0.02. Вес упаковки (ед): 0.07. Ударостойкость при работе: 1500 G. Интерфейс: SATA III. Структура памяти NAND: 3D. Гарантия: 12 мес.. Ресурс TBW: 400 ТБ. Предназначен: для ПК, для ноутбука. Скорость: чтения до 545 МБ/с. Ресурс: TBW 400 ТБ; время наработки: 1000000 ч. Объем: 2 ТБ; интерфейс: SATA III. Особенности: для ПК, для ноутбука. Форм-фактор: 2.5"; разъем SATA; толщина 7 мм