Тип: DDR4, объём: 1 модуль на 16Gb, тактовая частота: 2400 MHz, форм-фактор: SODIMM 260-контактный, скорость: PC-19200, поддержка ECC: нет, Low Profile: нет, Registered: нет (PSD416G24002S)
Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 3200. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 260-pin. Показатель скорости: PC4-25600. Напряжение: 1.2В. Задержка: 22-22-22. Латентность (CAS): CL22. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.095x0.045x0.01. Вес упаковки (ед): 0.02. RAS to CAS Delay (tRCD): 22. Row Precharge Delay (tRP): 22. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 25600. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 120 мес.. Форм-фактор: SO-DIMM, 260-pin. Объем: 8 ГБ. Частота: 3200 МГц. Тип поставки: Ret. Тайминги: 22-22-22. Латентность: CL22
Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 3200. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 288-pin. Показатель скорости: PC4-25600. Напряжение: 1.2В. Задержка: 22-22-22-52. Латентность (CAS): CL22. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.065x0.015x0.17. Вес упаковки (ед): 0.04. RAS to CAS Delay (tRCD): 22. Row Precharge Delay (tRP): 22. Объем одного модуля: 16. Пропускная способность: 25600. Суммарный объем памяти всего комплекта: 16. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 120 мес.. Объем: 16 ГБ. Латентность: CL22. Тайминги: 22-22-22-52. Форм-фактор: UDIMM, 288-pin. Частота: 3200 МГц. Тип поставки: Ret
Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 3200. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 260-pin. Показатель скорости: PC4-25600. Напряжение: 1.2В. Задержка: 22-22-22-52. Латентность (CAS): CL22. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.17x0.063x0.012. Вес упаковки (ед): 0.03. Подсветка: нет. RAS to CAS Delay (tRCD): 22. Row Precharge Delay (tRP): 22. Объем одного модуля: 16. Пропускная способность: 25600. Суммарный объем памяти всего комплекта: 16. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 120 мес.. Форм-фактор: SO-DIMM, 260-pin. Латентность: CL22. Тип поставки: Ret. Частота: 3200 МГц. Объем: 16 ГБ. Тайминги: 22-22-22-52
Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 3200. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 260-pin. Показатель скорости: PC4-25600. Напряжение: 1.2В. Латентность (CAS): CL17. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.097x0.014x0.05. Вес упаковки (ед): 0.02. Объем одного модуля: 16. Пропускная способность: 25600. Суммарный объем памяти всего комплекта: 16. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 36 мес.. Объем: 16 ГБ. Частота: 3200 МГц. Форм-фактор: SO-DIMM, 260-pin. Латентность: CL17. Тип поставки: Ret
Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 3200. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 288-pin. Показатель скорости: PC4-25600. Напряжение: 1.35В. Задержка: 17-17-17. Латентность (CAS): CL17. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.15x0.07x0.015. Вес упаковки (ед): 0.04. RAS to CAS Delay (tRCD): 17. Row Precharge Delay (tRP): 17. Объем одного модуля: 16. Пропускная способность: 25600. Суммарный объем памяти всего комплекта: 16. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 36 мес.. Форм-фактор: UDIMM, 288-pin. Объем: 16 ГБ. Латентность: CL17. Тайминги: 17-17-17. Частота: 3200 МГц. Тип поставки: Ret
Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 3200. Радиатор охлаждения: нет. Количество модулей: 1. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Особенности: dual rank 2R*8. Количество контактов: 260-pin. Показатель скорости: PC4-25600. Напряжение: 1.2В. Задержка: 22-22-22-52. Латентность (CAS): CL22. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.094x0.045x0.007. Вес упаковки (ед): 0.01. RAS to CAS Delay (tRCD): 22. Row Precharge Delay (tRP): 22. Объем одного модуля: 16. Пропускная способность: 25600. Суммарный объем памяти всего комплекта: 16. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 120 мес.. Частота: 3200 МГц. Объем: 1х 16 ГБ. Латентность: CL22. Форм-фактор: SO-DIMM, 260-pin. Тайминги: 22-22-22-52. Тип поставки: Ret
Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 3200. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 260-pin. Показатель скорости: PC4-25600. Скорость (SPD): 2933. Напряжение (SPD): 1.2В. Напряжение: 1.2В. Задержка (SPD): 17-19-19. Задержка: 20-22-22. Латентность (CAS): CL20. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.17x0.055x0.015. Вес упаковки (ед): 0.03. RAS to CAS Delay (tRCD): 22. Row Precharge Delay (tRP): 22. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 25600. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Технологии разгона памяти: XMP 2.0. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 120 мес.. Латентность: CL20. Форм-фактор: SO-DIMM, 260-pin. Частота: 3200 МГц. Тип поставки: Ret. Объем: 8 ГБ. Тайминги: 20-22-22
Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 3200. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Особенности: single rank 1R*8. Количество контактов: 260-pin. Показатель скорости: PC4-25600. Напряжение: 1.2В. Задержка: 22-22-22-52. Латентность (CAS): CL22. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.091x0.043x0.007. Вес упаковки (ед): 0.01. RAS to CAS Delay (tRCD): 22. Row Precharge Delay (tRP): 22. Объем одного модуля: 16. Пропускная способность: 25600. Суммарный объем памяти всего комплекта: 16. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 120 мес.. Форм-фактор: SO-DIMM, 260-pin. Объем: 16 ГБ. Частота: 3200 МГц. Латентность: CL22. Тип поставки: Ret. Тайминги: 22-22-22-52
Комплектующие
[Модуль памяти] Память оперативная/ Foxline SODIMM 8GB 5600 DDR5 CL 46 FL5600D5S46-8G
Показать еще
Введите номер страницы:
Оперативная память SODIMM Patriot Signature Line представляет собой надежный модуль памяти, разработанный для модернизации компактных систем. Он выполнен в виде микросхемы и соответствует форм-фактору SODIMM, что делает его незаменимым компонентом для ноутбуков, позволяющим повысить производительность системы и улучшить время отклика. Это память DDR4, поддерживающая объем 8 ГБ, которая позволяет мгновенно загружать самые требовательные приложения.
Модель R748G2606S2S-U Количество контактов 260-pin Показатель скорости PC4-21300 Скорость (тест) 2666МГц Напряжение (тест) 1.2В Задержка (тест) 16-18-18-35 Латентность CL16 Бренд AMD PartNumber/Артикул Производителя R748G2606S2S-U Вес упаковки (ед) 0.017 Серия Radeon R7 Performance Series Тип памяти DDR4 Объем 8192 Частотная спецификация 2666 Количество в упаковке 1 Тип поставки Ret Форм-фактор SO-DIMM Буферизация unbuffered EANCode 4897065182354 .
Товар добавлен в корзину
Мы используем файлы cookie для улучшения работы сайта. ПринятьПодробнее
