Оперативная память для ноутбуков

Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 2666. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Особенности: single rank 1R*8. Количество контактов: 288-pin. Показатель скорости: PC4-21300. Напряжение: 1.2В. Задержка: 19-19-19-43. Латентность (CAS): CL19. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.09x0.05x0.002. Вес упаковки (ед): 0.03. RAS to CAS Delay (tRCD): 19. Row Precharge Delay (tRP): 19. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 21300. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 120 мес.. Объем: 8 ГБ. Тайминги: 19-19-19-43. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: UDIMM, 288-pin. Частота: 2666 МГц. Латентность: CL19

Комплектующие

Модель R748G2606S2S-U Количество контактов 260-pin Показатель скорости PC4-21300 Скорость (тест) 2666МГц Напряжение (тест) 1.2В Задержка (тест) 16-18-18-35 Латентность CL16 Бренд AMD PartNumber/Артикул Производителя R748G2606S2S-U Вес упаковки (ед) 0.017 Серия Radeon R7 Performance Series Тип памяти DDR4 Объем 8192 Частотная спецификация 2666 Количество в упаковке 1 Тип поставки Ret Форм-фактор SO-DIMM Буферизация unbuffered EANCode 4897065182354 .

Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 2666. Радиатор охлаждения: нет. Количество модулей: 1. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Особенности: dual rank 2R*8. Количество контактов: 260-pin. Показатель скорости: PC4-21300. Напряжение: 1.2В. Задержка: 19-19-19-43. Латентность (CAS): CL19. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.094x0.045x0.006. Вес упаковки (ед): 0.02. RAS to CAS Delay (tRCD): 19. Row Precharge Delay (tRP): 19. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 21300. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 120 мес.. Форм-фактор: SO-DIMM, 260-pin. Латентность: CL19. Объем: 1х 8 ГБ. Тайминги: 19-19-19-43. Тип поставки: Ret. Частота: 2666 МГц

Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 3200. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Особенности: single rank 1R*8. Количество контактов: 288-pin. Показатель скорости: PC4-25600. Напряжение: 1.2В. Задержка: 22-22-22-52. Латентность (CAS): CL22. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.16x0.04x0.01. Вес упаковки (ед): 0.03. RAS to CAS Delay (tRCD): 22. Row Precharge Delay (tRP): 22. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 25600. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 120 мес.. Форм-фактор: UDIMM, 288-pin. Тайминги: 22-22-22-52. Тип поставки: Ret. Объем: 8 ГБ. Частота: 3200 МГц. Латентность: CL22

Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 2666. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: OEM. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 260-pin. Показатель скорости: PC4-21300. Напряжение: 1.2В. Задержка: 19-19-19. Латентность (CAS): CL19. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.07x0.033x0.002. Вес упаковки (ед): 0.04. RAS to CAS Delay (tRCD): 19. Row Precharge Delay (tRP): 19. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 21300. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 120 мес.. Форм-фактор: SO-DIMM, 260-pin. Объем: 8 ГБ. Частота: 2666 МГц. Тип поставки: OEM. Латентность: CL19. Тайминги: 19-19-19

Тип памяти: DDR3. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 204-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Напряжение: 1.5В. Задержка: 11-11-11. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.11x0.04x0.01. Вес упаковки (ед): 0.04. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 120 мес.. Объем: 8 ГБ. Частота: 1600 МГц. Латентность: CL11. Форм-фактор: SO-DIMM, 204-pin. Тип поставки: Ret. Тайминги: 11-11-11

Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 3200. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Особенности: single rank 1R*8. Количество контактов: 260-pin. Показатель скорости: PC4-25600. Напряжение: 1.2В. Задержка: 22-22-22-52. Латентность (CAS): CL22. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.093x0.045x0.007. Вес упаковки (ед): 0.04. RAS to CAS Delay (tRCD): 22. Row Precharge Delay (tRP): 22. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 25600. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 120 мес.. Тайминги: 22-22-22-52. Частота: 3200 МГц. Латентность: CL22. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM, 260-pin. Объем: 8 ГБ

Артикул № 1011175 Оперативная память типа DDR4 с объемом 8 Гб, частотой 3200 МГц и пропускной способностью до 25600 Мб/с обеспечивает высокую производительность системы. Латентность составляет CL 22, что позволяет ускорить работу компьютера и повысить его производительность. Тайминги равны 22-22-22-52, что обеспечивает стабильную работу памяти и уменьшает задержку при передаче данных. Напряжение питания составляет 1.2 Вольта, что является оптимальным для данной памяти.

[Модуль памяти] QUMO DDR4 SODIMM 8GB QUM4S-8G3200C22 PC4-25600, 3200MHz for INTEL Only