Оперативная память для ноутбуков

Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 2666. Радиатор охлаждения: нет. Количество модулей: 1. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Особенности: dual rank 2R*8. Количество контактов: 260-pin. Показатель скорости: PC4-21300. Напряжение: 1.2В. Задержка: 19-19-19-43. Латентность (CAS): CL19. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.094x0.045x0.006. Вес упаковки (ед): 0.02. RAS to CAS Delay (tRCD): 19. Row Precharge Delay (tRP): 19. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 21300. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 120 мес.. Форм-фактор: SO-DIMM, 260-pin. Латентность: CL19. Объем: 1х 8 ГБ. Тайминги: 19-19-19-43. Тип поставки: Ret. Частота: 2666 МГц

Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 3200. Радиатор охлаждения: нет. Количество модулей: 1. Тип поставки: OEM. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 288-pin. Показатель скорости: PC4-25600. Напряжение: 1.2В. Задержка: 22-22-22. Латентность (CAS): CL22. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.132x0.03x0.001. Вес упаковки (ед): 0.03. RAS to CAS Delay (tRCD): 22. Row Precharge Delay (tRP): 22. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 25600. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 120 мес.. Форм-фактор: UDIMM, 288-pin. Латентность: CL22. Объем: 1х 8 ГБ. Тайминги: 22-22-22. Тип поставки: OEM. Частота: 3200 МГц

[Модуль памяти] Samsung DDR4 8Gb 3200MHz M471A1G44AB0-CWE OEM PC4-25600 CL19 SO-DIMM

Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 3200. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 260-pin. Показатель скорости: PC4-25600. Напряжение: 1.2В. Задержка: 22-22-22. Латентность (CAS): CL22. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.095x0.045x0.01. Вес упаковки (ед): 0.02. RAS to CAS Delay (tRCD): 22. Row Precharge Delay (tRP): 22. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 25600. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 120 мес.. Форм-фактор: SO-DIMM, 260-pin. Объем: 8 ГБ. Частота: 3200 МГц. Тип поставки: Ret. Тайминги: 22-22-22. Латентность: CL22

Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 3200. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 260-pin. Показатель скорости: PC4-25600. Напряжение: 1.2В. Задержка: 22-22-22. Латентность (CAS): CL22. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.16x0.06x0.02. Вес упаковки (ед): 0.01. RAS to CAS Delay (tRCD): 22. Row Precharge Delay (tRP): 22. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 25600. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 120 мес.. Форм-фактор: SO-DIMM, 260-pin. Латентность: CL22. Объем: 8 ГБ. Частота: 3200 МГц. Тайминги: 22-22-22. Тип поставки: Ret

Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 3200. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 288-pin. Показатель скорости: PC4-25600. Напряжение: 1.2В. Задержка: 22-22-22. Латентность (CAS): CL22. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.165x0.045x0.01. Вес упаковки (ед): 0.02. RAS to CAS Delay (tRCD): 22. Row Precharge Delay (tRP): 22. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 25600. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 120 мес.. Частота: 3200 МГц. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: UDIMM, 288-pin. Объем: 8 ГБ. Тайминги: 22-22-22. Латентность: CL22

Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 3200. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 288-pin. Показатель скорости: PC4-25600. Напряжение: 1.2В. Задержка: 22-22-22. Латентность (CAS): CL22. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.16x0.045x0.007. Вес упаковки (ед): 0.03. RAS to CAS Delay (tRCD): 22. Row Precharge Delay (tRP): 22. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 25600. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 120 мес.. Тайминги: 22-22-22. Частота: 3200 МГц. Форм-фактор: UDIMM, 288-pin. Объем: 8 ГБ. Тип поставки: Ret. Латентность: CL22

Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 3200. Радиатор охлаждения: есть. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 288-pin. Показатель скорости: PC4-25600. Напряжение: 1.2В. Задержка: 22-22-22-52. Латентность (CAS): CL22. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.155x0.02x0.065. Вес упаковки (ед): 0.05. Подсветка: нет. RAS to CAS Delay (tRCD): 22. Row Precharge Delay (tRP): 22. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 25600. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 120 мес.. Цвет радиатора: черный. Особенности: оснащается радиатором. Латентность: CL22. Тип поставки: Ret. Объем: 8 ГБ. Частота: 3200 МГц. Форм-фактор: UDIMM, 288-pin. Тайминги: 22-22-22-52

Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 3200. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Особенности: single rank 1R*8. Количество контактов: 260-pin. Показатель скорости: PC4-25600. Напряжение: 1.2В. Задержка: 22-22-22-52. Латентность (CAS): CL22. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.093x0.045x0.007. Вес упаковки (ед): 0.04. RAS to CAS Delay (tRCD): 22. Row Precharge Delay (tRP): 22. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 25600. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 120 мес.. Тайминги: 22-22-22-52. Частота: 3200 МГц. Латентность: CL22. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM, 260-pin. Объем: 8 ГБ

Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 3200. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 260-pin. Показатель скорости: PC4-25600. Скорость (SPD): 2933. Напряжение (SPD): 1.2В. Напряжение: 1.2В. Задержка (SPD): 17-19-19. Задержка: 20-22-22. Латентность (CAS): CL20. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.17x0.055x0.015. Вес упаковки (ед): 0.03. RAS to CAS Delay (tRCD): 22. Row Precharge Delay (tRP): 22. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 25600. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Технологии разгона памяти: XMP 2.0. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 120 мес.. Латентность: CL20. Форм-фактор: SO-DIMM, 260-pin. Частота: 3200 МГц. Тип поставки: Ret. Объем: 8 ГБ. Тайминги: 20-22-22

Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 3200. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 288-pin. Показатель скорости: PC4-25600. Напряжение: 1.2В. Задержка: 22-22-22-52. Латентность (CAS): CL22. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.17x0.015x0.056. Вес упаковки (ед): 0.02. Подсветка: нет. RAS to CAS Delay (tRCD): 22. Row Precharge Delay (tRP): 22. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 25600. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 120 мес.. Тайминги: 22-22-22-52. Форм-фактор: UDIMM, 288-pin. Объем: 8 ГБ. Частота: 3200 МГц. Латентность: CL22. Тип поставки: Ret

Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 3600. Радиатор охлаждения: нет. Количество модулей: 1. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Особенности: single rank 1R*8. Количество контактов: 288-pin. Показатель скорости: PC4-28800. Напряжение: 1.35В. Задержка: 18-22-22-42. Латентность (CAS): CL18. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.176x0.056x0.01. Вес упаковки (ед): 0.03. RAS to CAS Delay (tRCD): 22. Row Precharge Delay (tRP): 22. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 28800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 120 мес.. Форм-фактор: UDIMM, 288-pin. Латентность: CL18. Тайминги: 18-22-22-42. Объем: 1х 8 ГБ. Частота: 3600 МГц. Тип поставки: Ret