Оперативная память для ноутбуков

Тип памяти: DDR3L. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 204-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Напряжение: 1.35В. Задержка: 11-11-11. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.17x0.062x0.01. Вес упаковки (ед): 0.03. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 120 мес.. Тип поставки: Ret. Латентность: CL11. Частота: 1600 МГц. Форм-фактор: SO-DIMM, 204-pin. Тайминги: 11-11-11. Объем: 8 ГБ

Тип памяти: DDR3. Тактовая частота: 1333. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 240-pin. Показатель скорости: PC3-10600. Напряжение: 1.5В. Латентность (CAS): CL9. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.17x0.06x0.02. Вес упаковки (ед): 0.03. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 10600. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 120 мес.. Объем: 8 ГБ. Частота: 1333 МГц. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: UDIMM, 240-pin. Латентность: CL9

Тип памяти: DDR3L. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Количество модулей: 1. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 240-pin. Показатель скорости: PC3L-12800. Напряжение: 1.35В. Задержка: 11-11-11. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.167x0.054x0.008. Вес упаковки (ед): 0.04. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 4. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 4. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 120 мес.. Объем: 1х 4 ГБ. Форм-фактор: UDIMM, 240-pin. Частота: 1600 МГц. Латентность: CL11. Тип поставки: Ret. Тайминги: 11-11-11

Объем: 8 Гб/ Тип: DDR-3/ Частота: 1600 МГц/ Форм-фактор: SO-DIMM/ Напряжение: 1.5 в/ Код: DS.08G2K.KAM

Тип памяти: DDR3. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 240-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Напряжение: 1.5В. Задержка: 11-11-11. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.145x0.045x0.01. Вес упаковки (ед): 0.03. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 120 мес.. Тайминги: 11-11-11. Латентность: CL11. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: UDIMM, 240-pin. Объем: 8 ГБ. Частота: 1600 МГц

204-pin; частота: 1600; латентность: CL11; форм-фактор: SO-DIMM; тип поставки: Ret

Тип памяти: DDR3L. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 240-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Скорость (SPD): 1600. Напряжение (SPD): 1.35В. Напряжение: 1.35В. Задержка (SPD): 11-11-11. Задержка: 11-11-11. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.165x0.045x0.01. Вес упаковки (ед): 0.04. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 120 мес.. Тайминги: 11-11-11. Форм-фактор: UDIMM, 240-pin. Частота: 1600 МГц. Тип поставки: Ret. Объем: 8 ГБ. Латентность: CL11

Тип: DDR4, объём: 1 модуль на 8Gb, тактовая частота: 2666 MHz, форм-фактор: SODIMM, скорость: PC-21300, поддержка ECC: нет, Low Profile: нет, Registered: нет (PSD48G266681S)