Оперативная память для ноутбуков

Тип памяти: DDR3. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Количество модулей: 1. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 240-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Напряжение: 1.5В. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.173x0.055x0.015. Вес упаковки (ед): 0.04. Подсветка: нет. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 120 мес.. Частота: 1600 МГц. Объем: 1х 8 ГБ. Латентность: CL11. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: UDIMM, 240-pin

Комплектующие

Тип памяти: DDR3. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 204-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Скорость (SPD): 1600. Напряжение (SPD): 1.5В. Напряжение: 1.5В. Задержка (SPD): 11-11-11. Задержка: 11-11-11. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.17x0.06x0.015. Вес упаковки (ед): 0.03. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 4. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 4. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 120 мес.. Форм-фактор: SO-DIMM, 204-pin. Тайминги: 11-11-11. Латентность: CL11. Частота: 1600 МГц. Тип поставки: Ret. Объем: 4 ГБ

204-pin; частота: 1600; латентность: CL11; форм-фактор: SO-DIMM; тип поставки: OEM

Комплектующие

Объем: 4 Гб/ Тип: DDR-3/ Частота: 1600 МГц/ Форм-фактор: SO-DIMM/ Напряжение: 1.35 в/ Код: KVR16LS11/4

Тип памяти: DDR3. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 204-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Скорость (SPD): 1600. Напряжение (SPD): 1.5В. Напряжение: 1.5В. Задержка (SPD): 11-11-11. Задержка: 11-11-11. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.13x0.07x0.01. Вес упаковки (ед): 0.04. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 120 мес.. Форм-фактор: SO-DIMM, 204-pin. Тип поставки: Ret. Частота: 1600 МГц. Латентность: CL11. Объем: 8 ГБ. Тайминги: 11-11-11

Тип памяти: DDR3L. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 240-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Скорость (SPD): 1600. Напряжение (SPD): 1.35В. Напряжение: 1.35В. Задержка (SPD): 11-11-11. Задержка: 11-11-11. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.165x0.045x0.01. Вес упаковки (ед): 0.03. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 4. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 4. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 120 мес.. Форм-фактор: UDIMM, 240-pin. Частота: 1600 МГц. Тайминги: 11-11-11. Тип поставки: Ret. Объем: 4 ГБ. Латентность: CL11

Модуль памяти DDR3 SODIMM 4Гб 1600MHz Non-ECC 1Rx8 CL11, Kingston

Тип памяти: DDR3. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: есть. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 240-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Напряжение: 1.5В. Задержка: 10-10-10-27. Латентность (CAS): CL10. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.178x0.123x0.016. Вес упаковки (ед): 0.03. RAS to CAS Delay (tRCD): 10. Row Precharge Delay (tRP): 10. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 120 мес.. Цвет радиатора: черный. Форм-фактор: UDIMM, 240-pin. Объем: 8 ГБ. Тайминги: 10-10-10-27. Особенности: оснащается радиатором. Частота: 1600 МГц. Латентность: CL10. Тип поставки: Ret

Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 2400. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 260-pin. Показатель скорости: PC4-19200. Напряжение: 1.2В. Задержка: 16-16-16-36. Латентность (CAS): CL16. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.095x0.045x0.007. Вес упаковки (ед): 0.02. RAS to CAS Delay (tRCD): 16. Row Precharge Delay (tRP): 16. Объем одного модуля: 4. Пропускная способность: 19200. Суммарный объем памяти всего комплекта: 4. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 24 мес.. Форм-фактор: SO-DIMM, 260-pin. Латентность: CL16. Тайминги: 16-16-16-36. Тип поставки: Ret. Объем: 4 ГБ. Частота: 2400 МГц