Оперативная память для ноутбуков

Тип памяти: DDR3. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: есть. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 240-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Напряжение: 1.5В. Задержка: 10-10-10-27. Латентность (CAS): CL10. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.178x0.123x0.016. Вес упаковки (ед): 0.03. RAS to CAS Delay (tRCD): 10. Row Precharge Delay (tRP): 10. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 120 мес.. Цвет радиатора: черный. Форм-фактор: UDIMM, 240-pin. Объем: 8 ГБ. Тайминги: 10-10-10-27. Особенности: оснащается радиатором. Частота: 1600 МГц. Латентность: CL10. Тип поставки: Ret

SO-DIMM DDR 4 DIMM 4Gb PC21300, 2666Mhz, PATRIOT Signature (PSD44G266681S) (retail)

[Модуль памяти] Память SO-DIMM DDR4 4Gb PC21300 2666MHz CL19 PATRIOT 1.2V (PSD44G266681S) CAS Latency (CL) 19 масса(кг) 0.03 GTD Number 10005030/240123/3018627 GTIN 00814914026465 Cтрана-производитель тайвань (китай) Партномер PSD44G266681S RAS to CAS Delay (tRCD) 19 Row Precharge Delay (tRP) 19 высота(см) 1.5 гарантия 3 года длина(см) 17 Дополнительная информация нет Количество контактов 260 Количество модулей в комплекте (шт)

Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 2666. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Особенности: single rank 1R*8. Количество контактов: 260-pin. Показатель скорости: PC4-21300. Напряжение: 1.2В. Задержка: 19-19-19-43. Латентность (CAS): CL19. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.08x0.043x0.005. Вес упаковки (ед): 0.01. RAS to CAS Delay (tRCD): 19. Row Precharge Delay (tRP): 19. Объем одного модуля: 4. Пропускная способность: 21300. Суммарный объем памяти всего комплекта: 4. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 120 мес.. Частота: 2666 МГц. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM, 260-pin. Объем: 4 ГБ. Латентность: CL19. Тайминги: 19-19-19-43

Тип памяти: DDR3L. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 240-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Скорость (SPD): 1600. Напряжение (SPD): 1.35В. Напряжение: 1.35В. Задержка (SPD): 11-11-11. Задержка: 11-11-11. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.165x0.045x0.01. Вес упаковки (ед): 0.03. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 4. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 4. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 120 мес.. Форм-фактор: UDIMM, 240-pin. Частота: 1600 МГц. Тайминги: 11-11-11. Тип поставки: Ret. Объем: 4 ГБ. Латентность: CL11

Модуль памяти CBR CD4-SS08G26M19-01 SODIMM DDR4 емкостью 8ГБ, частотой 2666МГц (PC4-21300), non ECC, предназначен для использования в ноутбуках. DDR4, объём: 1 модуль на 8Gb, тактовая частота: 2666 MHz, форм-фактор: SODIMM 260-контактный, скорость: PC-21300, поддержка ECC: нет, Low Profile: нет, Registered: нет, CD4-SS08G26M19-01

Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 2666. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 260-pin. Показатель скорости: PC4-21300. Напряжение: 1.2В. Задержка: 16-18-18-35. Латентность (CAS): CL16. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.1x0.045x0.01. Вес упаковки (ед): 0.01. RAS to CAS Delay (tRCD): 18. Row Precharge Delay (tRP): 18. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 21300. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 24 мес.. Тайминги: 16-18-18-35. Тип поставки: Ret. Объем: 8 ГБ. Форм-фактор: SO-DIMM, 260-pin. Частота: 2666 МГц. Латентность: CL16

Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 2666. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 260-pin. Показатель скорости: PC4-21300. Напряжение: 1.2В. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.097x0.014x0.05. Вес упаковки (ед): 0.02. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 21300. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 36 мес.. Объем: 8 ГБ. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM, 260-pin. Частота: 2666 МГц

[Модуль памяти] Digma DDR4 SODIMM 8GB DGMAS42666008D PC4-21300, 2666MHz

Модель R748G2606S2S-U Количество контактов 260-pin Показатель скорости PC4-21300 Скорость (тест) 2666МГц Напряжение (тест) 1.2В Задержка (тест) 16-18-18-35 Латентность CL16 Бренд AMD PartNumber/Артикул Производителя R748G2606S2S-U Вес упаковки (ед) 0.017 Серия Radeon R7 Performance Series Тип памяти DDR4 Объем 8192 Частотная спецификация 2666 Количество в упаковке 1 Тип поставки Ret Форм-фактор SO-DIMM Буферизация unbuffered EANCode 4897065182354 .

Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 3200. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 260-pin. Показатель скорости: PC4-25600. Напряжение: 1.2В. Задержка: 22-22-22-52. Латентность (CAS): CL22. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.1x0.011x0.045. Вес упаковки (ед): 0.01. RAS to CAS Delay (tRCD): 22. Row Precharge Delay (tRP): 22. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 25600. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 24 мес.. Объем: 8 ГБ. Частота: 3200 МГц. Форм-фактор: SO-DIMM, 260-pin. Тайминги: 22-22-22-52. Тип поставки: Ret. Латентность: CL22