Оперативная память для ноутбуков

Модель R748G2606S2S-U Количество контактов 260-pin Показатель скорости PC4-21300 Скорость (тест) 2666МГц Напряжение (тест) 1.2В Задержка (тест) 16-18-18-35 Латентность CL16 Бренд AMD PartNumber/Артикул Производителя R748G2606S2S-U Вес упаковки (ед) 0.017 Серия Radeon R7 Performance Series Тип памяти DDR4 Объем 8192 Частотная спецификация 2666 Количество в упаковке 1 Тип поставки Ret Форм-фактор SO-DIMM Буферизация unbuffered EANCode 4897065182354 .

Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 2666. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 260-pin. Показатель скорости: PC4-21300. Напряжение: 1.2В. Задержка: 16-18-18-35. Латентность (CAS): CL16. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.1x0.045x0.01. Вес упаковки (ед): 0.01. RAS to CAS Delay (tRCD): 18. Row Precharge Delay (tRP): 18. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 21300. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 24 мес.. Тайминги: 16-18-18-35. Тип поставки: Ret. Объем: 8 ГБ. Форм-фактор: SO-DIMM, 260-pin. Частота: 2666 МГц. Латентность: CL16

Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 3200. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 260-pin. Показатель скорости: PC4-25600. Напряжение: 1.2В. Задержка: 22-22-22-52. Латентность (CAS): CL22. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.17x0.05x0.02. Вес упаковки (ед): 0.03. RAS to CAS Delay (tRCD): 22. Row Precharge Delay (tRP): 22. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 25600. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 120 мес.. Объем: 8 ГБ. Частота: 3200 МГц. Латентность: CL22. Тайминги: 22-22-22-52. Форм-фактор: SO-DIMM, 260-pin. Тип поставки: Ret

Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 3200. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Особенности: single rank 1R*8. Количество контактов: 260-pin. Показатель скорости: PC4-25600. Напряжение: 1.2В. Задержка: 22-22-22-52. Латентность (CAS): CL22. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.093x0.045x0.007. Вес упаковки (ед): 0.04. RAS to CAS Delay (tRCD): 22. Row Precharge Delay (tRP): 22. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 25600. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 120 мес.. Тайминги: 22-22-22-52. Частота: 3200 МГц. Латентность: CL22. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM, 260-pin. Объем: 8 ГБ

Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 2400. Радиатор охлаждения: нет. Количество модулей: 1. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 260-pin. Показатель скорости: PC4-19200. Напряжение: 1.2В. Задержка: 16-16-16-36. Латентность (CAS): CL16. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.1x0.045x0.007. Вес упаковки (ед): 0.03. Подсветка: нет. RAS to CAS Delay (tRCD): 16. Row Precharge Delay (tRP): 16. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 19200. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 24 мес.. Форм-фактор: SO-DIMM, 260-pin. Частота: 2400 МГц. Тайминги: 16-16-16-36. Объем: 1х 8 ГБ. Латентность: CL16. Тип поставки: Ret

Оперативная память SODIMM Patriot Signature Line представляет собой надежный модуль памяти, разработанный для модернизации компактных систем. Он выполнен в виде микросхемы и соответствует форм-фактору SODIMM, что делает его незаменимым компонентом для ноутбуков, позволяющим повысить производительность системы и улучшить время отклика. Это память DDR4, поддерживающая объем 8 ГБ, которая позволяет мгновенно загружать самые требовательные приложения.

Комплектующие

Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 3200. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 288-pin. Показатель скорости: PC4-25600. Напряжение: 1.2В. Задержка: 22-22-22-52. Латентность (CAS): CL22. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.16x0.05x0.02. Вес упаковки (ед): 0.02. RAS to CAS Delay (tRCD): 22. Row Precharge Delay (tRP): 22. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 25600. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 120 мес.. Форм-фактор: UDIMM, 288-pin. Объем: 8 ГБ. Латентность: CL22. Частота: 3200 МГц. Тайминги: 22-22-22-52. Тип поставки: Ret

Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 2666. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Особенности: single rank 1R*8. Количество контактов: 288-pin. Показатель скорости: PC4-21300. Напряжение: 1.2В. Задержка: 19-19-19-43. Латентность (CAS): CL19. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.09x0.05x0.002. Вес упаковки (ед): 0.03. RAS to CAS Delay (tRCD): 19. Row Precharge Delay (tRP): 19. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 21300. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 120 мес.. Объем: 8 ГБ. Тайминги: 19-19-19-43. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: UDIMM, 288-pin. Частота: 2666 МГц. Латентность: CL19

Тип: DDR4, объём: 1 модуль на 8Gb, тактовая частота: 2400 MHz, форм-фактор: SODIMM, скорость: PC-19200 (PSD48G240081S)

[Модуль памяти] Crucial DDR4 SODIMM 8GB CB8GS3200 PC4-25600, 3200MHz