Оперативная память для ноутбуков

Тип памяти: DDR3. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 204-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Напряжение: 1.5В. Задержка: 11-11-11-28. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.097x0.047x0.007. Вес упаковки (ед): 0.02. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 24 мес.. Объем: 8 ГБ. Латентность: CL11. Частота: 1600 МГц. Форм-фактор: SO-DIMM, 204-pin. Тип поставки: Ret. Тайминги: 11-11-11-28

Объем: 8 Гб/ Тип: DDR-3/ Частота: 1600 МГц/ Форм-фактор: SO-DIMM/ Напряжение: 1.5 в/ Код: DS.08G2K.KAM

Тип памяти: DDR3. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Особенности: dual rank 2R*8, DDR3L 1.35V/1.5V. Количество контактов: 204-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Напряжение: 1.35В. Задержка: 11-11-11-28. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.093x0.045x0.006. Вес упаковки (ед): 0.02. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 120 мес.. Частота: 1600 МГц. Форм-фактор: SO-DIMM, 204-pin. Латентность: CL11. Тип поставки: Ret. Тайминги: 11-11-11-28. Объем: 8 ГБ

Тип памяти: DDR3. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Особенности: dual rank 2R*8, DDR3L 1.35V/1.5V. Количество контактов: 240-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Напряжение: 1.35В. Задержка: 11-11-11-28. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.16x0.047x0.008. Вес упаковки (ед): 0.02. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 120 мес.. Форм-фактор: UDIMM, 240-pin. Тайминги: 11-11-11-28. Тип поставки: Ret. Объем: 8 ГБ. Частота: 1600 МГц. Латентность: CL11

Комплектующие

Тип памяти: DDR3. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 204-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Скорость (SPD): 1600. Напряжение (SPD): 1.5В. Напряжение: 1.5В. Задержка (SPD): 11-11-11. Задержка: 11-11-11. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.17x0.01x0.06. Вес упаковки (ед): 0.03. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 4. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 4. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 120 мес.. Форм-фактор: SO-DIMM, 204-pin. Тайминги: 11-11-11. Тип поставки: Ret. Объем: 4 ГБ. Частота: 1600 МГц. Латентность: CL11

Тип: DDR3, объём: 1 модуль на 8Gb, тактовая частота: 1600 MHz, форм-фактор: SODIMM 204-контактный, скорость: PC-12800, поддержка ECC: нет, поддержка XMP нет, низкопрофильная Low Profile: нет, буферизованная Registered: нет (QUM3S-8G1600C11R)

Тип памяти: DDR3. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 204-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Скорость (SPD): 1600. Напряжение (SPD): 1.5В. Напряжение: 1.5В. Задержка (SPD): 11-11-11. Задержка: 11-11-11. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.13x0.07x0.01. Вес упаковки (ед): 0.04. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 120 мес.. Форм-фактор: SO-DIMM, 204-pin. Тип поставки: Ret. Частота: 1600 МГц. Латентность: CL11. Объем: 8 ГБ. Тайминги: 11-11-11

Тип товара: Память (модули, комплекты); Модель: CD4-SS04G26M19-01; Тип оборудования: Оперативная память; Частота (MHz): DDR4 - 2666; Тип модуля: SO-DIMM; Объем одного модуля (ГБ): 4; Количество модулей в комплекте (шт): 1; Общий объем памяти (ГБ): 4; Пропускная способность (МБ/с): 21300.

Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 3200. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 260-pin. Показатель скорости: PC4-25600. Напряжение: 1.2В. Задержка: 22-22-22-52. Латентность (CAS): CL22. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.09x0.045x0.01. Вес упаковки (ед): 0.02. RAS to CAS Delay (tRCD): 22. Row Precharge Delay (tRP): 22. Объем одного модуля: 4. Пропускная способность: 25600. Суммарный объем памяти всего комплекта: 4. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 24 мес.. Объем: 4 ГБ. Тайминги: 22-22-22-52. Латентность: CL22. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM, 260-pin. Частота: 3200 МГц

Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 2666. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 260-pin. Показатель скорости: PC4-21300. Напряжение: 1.2В. Задержка: 16-18-18-35. Латентность (CAS): CL16. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.098x0.045x0.007. Вес упаковки (ед): 0.02. RAS to CAS Delay (tRCD): 18. Row Precharge Delay (tRP): 18. Объем одного модуля: 4. Пропускная способность: 21300. Суммарный объем памяти всего комплекта: 4. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 24 мес.. Тайминги: 16-18-18-35. Тип поставки: Ret. Объем: 4 ГБ. Латентность: CL16. Форм-фактор: SO-DIMM, 260-pin. Частота: 2666 МГц