Оперативная память для ноутбуков

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В

Тип памяти: DDR3. Тактовая частота: 1333. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 240-pin. Показатель скорости: PC3-10600. Скорость (SPD): 1333. Напряжение (SPD): 1.5В. Напряжение: 1.5В. Задержка (SPD): 9-9-9. Задержка: 9-9-9. Латентность (CAS): CL9. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.17x0.06x0.02. Вес упаковки (ед): 0.03. RAS to CAS Delay (tRCD): 9. Row Precharge Delay (tRP): 9. Объем одного модуля: 4. Пропускная способность: 10600. Суммарный объем памяти всего комплекта: 4. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 120 мес.. Объем: 4 ГБ. Латентность: CL9. Форм-фактор: UDIMM, 240-pin. Тайминги: 9-9-9. Тип поставки: Ret. Частота: 1333 МГц

Тип памяти: DDR3L. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 204-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Напряжение: 1.35В. Задержка: 11-11-11. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.17x0.061x0.011. Вес упаковки (ед): 0.02. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 4. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 4. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 120 мес.. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM, 204-pin. Частота: 1600 МГц. Латентность: CL11. Объем: 4 ГБ. Тайминги: 11-11-11

Тип памяти: DDR3. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Особенности: dual rank 2R*8, DDR3L 1.35V/1.5V. Количество контактов: 204-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Напряжение: 1.35В. Задержка: 11-11-11-28. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.093x0.045x0.006. Вес упаковки (ед): 0.02. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 120 мес.. Частота: 1600 МГц. Форм-фактор: SO-DIMM, 204-pin. Латентность: CL11. Тип поставки: Ret. Тайминги: 11-11-11-28. Объем: 8 ГБ

Тип памяти: DDR3. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 240-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Напряжение: 1.5В. Задержка: 11-11-11. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.155x0.067x0.015. Вес упаковки (ед): 0.04. Подсветка: нет. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 36 мес.. Частота: 1600 МГц. Тип поставки: Ret. Объем: 8 ГБ. Латентность: CL11. Тайминги: 11-11-11. Форм-фактор: UDIMM, 240-pin

Тип: DDR3L, объём: 1 модуль на 4Gb, тактовая частота: 1600 MHz, форм-фактор: SODIMM 204-контактный, скорость: PC-12800, поддержка ECC: нет, Low Profile: нет, Registered: нет (PSD34G1600L2S)

Тип памяти: DDR3L. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 204-pin. Показатель скорости: PC3L-12800. Напряжение: 1.35В. Задержка: 11-11-11. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.097x0.014x0.05. Вес упаковки (ед): 0.02. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 999 мес.. Частота: 1600 МГц. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM, 204-pin. Тайминги: 11-11-11. Объем: 8 ГБ. Латентность: CL11

Тип памяти: DDR3L. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 240-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Напряжение: 1.35В. Задержка: 11-11-11. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.155x0.015x0.069. Вес упаковки (ед): 0.04. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 60 мес.. Тайминги: 11-11-11. Частота: 1600 МГц. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: UDIMM, 240-pin. Объем: 8 ГБ. Латентность: CL11

Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 2666. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Особенности: single rank 1R*8. Количество контактов: 260-pin. Показатель скорости: PC4-21300. Напряжение: 1.2В. Задержка: 19-19-19-43. Латентность (CAS): CL19. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.08x0.043x0.005. Вес упаковки (ед): 0.01. RAS to CAS Delay (tRCD): 19. Row Precharge Delay (tRP): 19. Объем одного модуля: 4. Пропускная способность: 21300. Суммарный объем памяти всего комплекта: 4. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 120 мес.. Частота: 2666 МГц. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM, 260-pin. Объем: 4 ГБ. Латентность: CL19. Тайминги: 19-19-19-43