Оперативная память для ноутбуков

SO-DIMM DDR 4 DIMM 4Gb PC21300, 2666Mhz, PATRIOT Signature (PSD44G266681S) (retail)

Модуль памяти DDR3 SODIMM 4Гб 1600MHz Non-ECC 1Rx8 CL11, Kingston

Тип памяти: DDR3. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: есть. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 240-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Напряжение: 1.5В. Задержка: 10-10-10-27. Латентность (CAS): CL10. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.178x0.123x0.016. Вес упаковки (ед): 0.03. RAS to CAS Delay (tRCD): 10. Row Precharge Delay (tRP): 10. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 120 мес.. Цвет радиатора: черный. Форм-фактор: UDIMM, 240-pin. Объем: 8 ГБ. Тайминги: 10-10-10-27. Особенности: оснащается радиатором. Частота: 1600 МГц. Латентность: CL10. Тип поставки: Ret

Тип памяти: DDR3L. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 240-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Скорость (SPD): 1600. Напряжение (SPD): 1.35В. Напряжение: 1.35В. Задержка (SPD): 11-11-11. Задержка: 11-11-11. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.165x0.045x0.01. Вес упаковки (ед): 0.04. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 120 мес.. Тайминги: 11-11-11. Форм-фактор: UDIMM, 240-pin. Частота: 1600 МГц. Тип поставки: Ret. Объем: 8 ГБ. Латентность: CL11

Объем: 8 Гб/ Тип: DDR-3/ Частота: 1600 МГц/ Форм-фактор: SO-DIMM/ Напряжение: 1.5 в/ Код: DS.08G2K.KAM

Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 3200. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 260-pin. Показатель скорости: PC4-25600. Напряжение: 1.2В. Задержка: 22-22-22-52. Латентность (CAS): CL22. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.09x0.045x0.01. Вес упаковки (ед): 0.02. RAS to CAS Delay (tRCD): 22. Row Precharge Delay (tRP): 22. Объем одного модуля: 4. Пропускная способность: 25600. Суммарный объем памяти всего комплекта: 4. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 24 мес.. Объем: 4 ГБ. Тайминги: 22-22-22-52. Латентность: CL22. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM, 260-pin. Частота: 3200 МГц

Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 2666. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 260-pin. Показатель скорости: PC4-21300. Напряжение: 1.2В. Задержка: 16-18-18-35. Латентность (CAS): CL16. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.098x0.045x0.007. Вес упаковки (ед): 0.02. RAS to CAS Delay (tRCD): 18. Row Precharge Delay (tRP): 18. Объем одного модуля: 4. Пропускная способность: 21300. Суммарный объем памяти всего комплекта: 4. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 24 мес.. Тайминги: 16-18-18-35. Тип поставки: Ret. Объем: 4 ГБ. Латентность: CL16. Форм-фактор: SO-DIMM, 260-pin. Частота: 2666 МГц

Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 2666. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Особенности: single rank 1R*8. Количество контактов: 260-pin. Показатель скорости: PC4-21300. Напряжение: 1.2В. Задержка: 19-19-19-43. Латентность (CAS): CL19. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.08x0.043x0.005. Вес упаковки (ед): 0.01. RAS to CAS Delay (tRCD): 19. Row Precharge Delay (tRP): 19. Объем одного модуля: 4. Пропускная способность: 21300. Суммарный объем памяти всего комплекта: 4. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 120 мес.. Частота: 2666 МГц. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM, 260-pin. Объем: 4 ГБ. Латентность: CL19. Тайминги: 19-19-19-43

Тип памяти: DDR3L. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 240-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Скорость (SPD): 1600. Напряжение (SPD): 1.35В. Напряжение: 1.35В. Задержка (SPD): 11-11-11. Задержка: 11-11-11. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.165x0.045x0.01. Вес упаковки (ед): 0.03. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 4. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 4. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 120 мес.. Форм-фактор: UDIMM, 240-pin. Частота: 1600 МГц. Тайминги: 11-11-11. Тип поставки: Ret. Объем: 4 ГБ. Латентность: CL11

[Модуль памяти] QUMO DDR4 SODIMM 8GB QUM4S-8G3200C22 PC4-25600, 3200MHz for INTEL Only

Тип памяти: DDR4. Тактовая частота: 3200. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 260-pin. Показатель скорости: PC4-25600. Напряжение: 1.2В. Задержка: 22-22-22-52. Латентность (CAS): CL22. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.1x0.011x0.045. Вес упаковки (ед): 0.01. RAS to CAS Delay (tRCD): 22. Row Precharge Delay (tRP): 22. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 25600. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 24 мес.. Объем: 8 ГБ. Частота: 3200 МГц. Форм-фактор: SO-DIMM, 260-pin. Тайминги: 22-22-22-52. Тип поставки: Ret. Латентность: CL22