Оперативная память для ноутбуков

Тип памяти: DDR3. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 240-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Напряжение: 1.5В. Задержка: 11-11-11-28. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.17x0.05x0.01. Вес упаковки (ед): 0.03. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 2. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 2. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 24 мес.. Тип поставки: Ret. Объем: 2 ГБ. Частота: 1600 МГц. Латентность: CL11. Форм-фактор: UDIMM, 240-pin. Тайминги: 11-11-11-28

Тип памяти: DDR3. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 204-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Скорость (SPD): 1600. Напряжение (SPD): 1.5В. Напряжение: 1.5В. Задержка (SPD): 11-11-11. Задержка: 11-11-11. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.17x0.06x0.015. Вес упаковки (ед): 0.03. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 4. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 4. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 120 мес.. Форм-фактор: SO-DIMM, 204-pin. Тайминги: 11-11-11. Латентность: CL11. Частота: 1600 МГц. Тип поставки: Ret. Объем: 4 ГБ

Тип памяти: DDR3. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 204-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Напряжение: 1.5В. Задержка: 11-11-11-28. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.095x0.046x0.007. Вес упаковки (ед): 0.03. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 4. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 4. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 24 мес.. Объем: 4 ГБ. Форм-фактор: SO-DIMM, 204-pin. Частота: 1600 МГц. Латентность: CL11. Тайминги: 11-11-11-28. Тип поставки: Ret

Тип памяти: DDR3. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Особенности: dual rank 2R*8, DDR3L 1.35V/1.5V. Количество контактов: 204-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Напряжение: 1.35В. Задержка: 11-11-11-28. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.09x0.05x0.002. Вес упаковки (ед): 9E-03. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 4. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 4. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 120 мес.. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM, 204-pin. Объем: 4 ГБ. Частота: 1600 МГц. Тайминги: 11-11-11-28. Латентность: CL11

Тип памяти: DDR3. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: SO-DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 204-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Скорость (SPD): 1600. Напряжение (SPD): 1.5В. Напряжение: 1.5В. Задержка (SPD): 11-11-11. Задержка: 11-11-11. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.17x0.01x0.06. Вес упаковки (ед): 0.03. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 4. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 4. Обозначение памяти: SO-DIMM. Гарантия: 120 мес.. Форм-фактор: SO-DIMM, 204-pin. Тайминги: 11-11-11. Тип поставки: Ret. Объем: 4 ГБ. Частота: 1600 МГц. Латентность: CL11

Тип памяти: DDR3L. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 240-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Скорость (SPD): 1600. Напряжение (SPD): 1.35В. Напряжение: 1.35В. Задержка (SPD): 11-11-11. Задержка: 11-11-11. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.165x0.045x0.01. Вес упаковки (ед): 0.03. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 4. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 4. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 120 мес.. Форм-фактор: UDIMM, 240-pin. Частота: 1600 МГц. Тайминги: 11-11-11. Тип поставки: Ret. Объем: 4 ГБ. Латентность: CL11

модуль памяти, DDR3 SO-DIMM, 4Гб, 1600МГц, CL11.

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В

Модуль памяти CBR DDR3 SODIMM - это надежный и качественный продукт, который обеспечивает высокую производительность и стабильность работы компьютера. Он имеет объем 8 ГБ и частоту 1600 МГц, что позволяет быстро обрабатывать большие объемы данных и запускать сложные программы. Модуль памяти CBR DDR3 SODIMM отличается высокой надежностью и долговечностью. Он изготовлен из качественных материалов и имеет защиту от перегрева, что обеспечивает его стабильную работу в течение длительного времени.

Тип памяти: DDR3L. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Количество контактов: 240-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Напряжение: 1.35В. Задержка: 11-11-11-28. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.16x0.05x0.01. Вес упаковки (ед): 0.03. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 24 мес.. Форм-фактор: UDIMM, 240-pin. Частота: 1600 МГц. Тайминги: 11-11-11-28. Объем: 8 ГБ. Тип поставки: Ret. Латентность: CL11

Тип памяти: DDR3. Тактовая частота: 1600. Радиатор охлаждения: нет. Тип поставки: Ret. Форм-фактор: DIMM. Поддержка ECC: не поддерживается. Буферизация: unbuffered. Особенности: dual rank 2R*8, DDR3L 1.35V/1.5V. Количество контактов: 240-pin. Показатель скорости: PC3-12800. Напряжение: 1.35В. Задержка: 11-11-11-28. Латентность (CAS): CL11. Габариты упаковки (ед) ДхШхВ: 0.16x0.047x0.008. Вес упаковки (ед): 0.02. RAS to CAS Delay (tRCD): 11. Row Precharge Delay (tRP): 11. Объем одного модуля: 8. Пропускная способность: 12800. Суммарный объем памяти всего комплекта: 8. Обозначение памяти: UDIMM. Гарантия: 120 мес.. Форм-фактор: UDIMM, 240-pin. Тайминги: 11-11-11-28. Тип поставки: Ret. Объем: 8 ГБ. Частота: 1600 МГц. Латентность: CL11

Модуль памяти DDR3 SODIMM 4Гб 1600MHz Non-ECC 1Rx8 CL11, Kingston